產(chǎn)品詳情
在淀積過程中,硅片被送入高溫擴(kuò)散爐,日本HD高爐設(shè)備諧波CSF-11-50-2A-R雜質(zhì)原子從材料源處轉(zhuǎn)移到擴(kuò)散爐內(nèi),爐溫通常設(shè)為800~1000℃,持續(xù)時間10~30分鐘,這時雜質(zhì)處于硅片的表面,為防止雜質(zhì)的流失,在硅的表面需要生成薄層氧化層。預(yù)淀積過程為擴(kuò)散過程建立了濃度梯度,從表面深入到硅片的內(nèi)部,日本HD高爐設(shè)備諧波CSF-11-50-2A-R雜質(zhì)的濃度逐漸降低。熱擴(kuò)散的第二步是推進(jìn),其作用是使淀積的雜質(zhì)穿過硅晶體,在硅片中達(dá)到一定的深度。推進(jìn)溫度在1000~1250℃。日本HD高爐設(shè)備諧波CSF-11-50-2A-R熱擴(kuò)散的第三步是激活,當(dāng)溫度進(jìn)一步升高時,雜質(zhì)原子與硅原子鍵合,從而改變硅的導(dǎo)電率。雜質(zhì)只有在成為硅晶格的結(jié)構(gòu)的一部分,才有助于形成半導(dǎo)體硅。