產(chǎn)品詳情
北京150℃高溫試驗服務(wù)CNAS檢測報告北京高低溫可靠性試驗機(jī)構(gòu)提供GBT2423標(biāo)準(zhǔn)高低溫測試報告，高低溫試驗屬于氣候環(huán)境試驗中比較通用和普遍的檢測項目類型之一，高低溫氣候環(huán)境試驗?zāi)M干熱和干冷大氣環(huán)境，如夏天的天熱，冬天的天冷。
高低溫環(huán)境試驗分為高溫工作、低溫工作、低溫貯存、高溫貯存測試類型。
實驗室具備從0.2m3至16m3的不同大小尺寸的高低溫溫度試驗系統(tǒng)，具備獨立的搭接樣品的空間，試驗箱一側(cè)均具備出線端子，可以引出電源線或信號線進(jìn)行產(chǎn)品的工作操作試驗。
高低溫測試試驗是用來確認(rèn)產(chǎn)品在溫濕度氣候環(huán)境條件下儲存、運輸、使用的適應(yīng)性。
高低溫測試試驗的嚴(yán)苛程度取決于高/低溫、濕度和曝露持續(xù)時間。
高低溫High and low temperature testing試驗方法：
預(yù)處理：將被測樣品放置在正常的試驗大氣條件下，直至達(dá)到溫度穩(wěn)定。
初步檢測：將測試樣品與標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行比較，滿足要求后直接放入高低溫試驗箱。
樣品斷電時，試驗樣品應(yīng)按標(biāo)準(zhǔn)要求放置在試驗箱內(nèi)，試驗箱（室）內(nèi)溫度應(yīng)降至-50℃，保持4小時；不要在樣品通電狀態(tài)下進(jìn)行低溫測試，這一步非常重要，因為芯片本身在通電狀態(tài)下會產(chǎn)生20℃因此，在通電狀態(tài)下，通常更容易通過低溫試驗，必須先凍透，再通電試驗。
在低溫階段結(jié)束后5min將試驗樣品轉(zhuǎn)換為已調(diào)整的樣品90℃保持在高溫試驗箱（室）內(nèi)4h或者直到測試樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，與低溫測試相反，加熱過程不斷電，芯片內(nèi)部溫度保持高溫，4小時后執(zhí)行A、B測試步驟。
進(jìn)行老化測試，觀察是否存在數(shù)據(jù)對比錯誤。
高溫和低溫試驗分別重復(fù)10次。
重復(fù)上述實驗方法，以完成三個循環(huán)。根據(jù)樣品的大小和空間的大小，時間可能略有誤差。
恢復(fù)：試驗樣品從試驗箱中取出后，應(yīng)在正常試驗大氣條件下恢復(fù)，直至試驗樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定。
最后檢測：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)中的損傷程度等方法評估檢測結(jié)果。
實驗室安全按照CNAS授權(quán)檢測范圍基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 2423.1-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分：試驗方法 試驗 A：低溫》 和 GB/T 2423.2-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分：試驗方法 試驗 B：高溫》標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行高低溫工作、高低溫貯存、高低溫極限、干冷干熱、溫度變化、高溫老化、高溫壽命、高低溫耐受性試驗技術(shù)服務(wù)，出具帶有CNAS,CMA印章的第三方檢測報告。
北京儀綜所檢測中心彭光瓊136-9109-3503。
高低溫環(huán)境試驗分為高溫工作、低溫工作、低溫貯存、高溫貯存測試類型。
實驗室具備從0.2m3至16m3的不同大小尺寸的高低溫溫度試驗系統(tǒng)，具備獨立的搭接樣品的空間，試驗箱一側(cè)均具備出線端子，可以引出電源線或信號線進(jìn)行產(chǎn)品的工作操作試驗。
高低溫測試試驗是用來確認(rèn)產(chǎn)品在溫濕度氣候環(huán)境條件下儲存、運輸、使用的適應(yīng)性。
高低溫測試試驗的嚴(yán)苛程度取決于高/低溫、濕度和曝露持續(xù)時間。
高低溫High and low temperature testing試驗方法：
預(yù)處理：將被測樣品放置在正常的試驗大氣條件下，直至達(dá)到溫度穩(wěn)定。
初步檢測：將測試樣品與標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行比較，滿足要求后直接放入高低溫試驗箱。
樣品斷電時，試驗樣品應(yīng)按標(biāo)準(zhǔn)要求放置在試驗箱內(nèi)，試驗箱（室）內(nèi)溫度應(yīng)降至-50℃，保持4小時；不要在樣品通電狀態(tài)下進(jìn)行低溫測試，這一步非常重要，因為芯片本身在通電狀態(tài)下會產(chǎn)生20℃因此，在通電狀態(tài)下，通常更容易通過低溫試驗，必須先凍透，再通電試驗。
在低溫階段結(jié)束后5min將試驗樣品轉(zhuǎn)換為已調(diào)整的樣品90℃保持在高溫試驗箱（室）內(nèi)4h或者直到測試樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，與低溫測試相反，加熱過程不斷電，芯片內(nèi)部溫度保持高溫，4小時后執(zhí)行A、B測試步驟。
進(jìn)行老化測試，觀察是否存在數(shù)據(jù)對比錯誤。
高溫和低溫試驗分別重復(fù)10次。
重復(fù)上述實驗方法，以完成三個循環(huán)。根據(jù)樣品的大小和空間的大小，時間可能略有誤差。
恢復(fù)：試驗樣品從試驗箱中取出后，應(yīng)在正常試驗大氣條件下恢復(fù)，直至試驗樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定。
最后檢測：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)中的損傷程度等方法評估檢測結(jié)果。
實驗室安全按照CNAS授權(quán)檢測范圍基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 2423.1-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分：試驗方法 試驗 A：低溫》 和 GB/T 2423.2-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分：試驗方法 試驗 B：高溫》標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行高低溫工作、高低溫貯存、高低溫極限、干冷干熱、溫度變化、高溫老化、高溫壽命、高低溫耐受性試驗技術(shù)服務(wù)，出具帶有CNAS,CMA印章的第三方檢測報告。
北京儀綜所檢測中心彭光瓊136-9109-3503。
