產(chǎn)品詳情
摻雜是把雜質(zhì)引入半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)中，以改變半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的一種方法。harmonic雜質(zhì)處理諧波CSF-50-160-2UH在芯片制造中常用兩種方法向硅片中引入雜質(zhì)元素，即熱擴散和離子注入。熱擴散利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)穿過硅的晶格結(jié)構(gòu)，這種方法受到時間和溫度的影響。離子注入通過高壓離子轟擊把雜質(zhì)引入硅片。雜質(zhì)通過與硅片發(fā)生原子級的高能碰撞，才能被注入。
擴散分為三種，即氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)。在半導(dǎo)體制造中，harmonic雜質(zhì)處理諧波CSF-50-160-2UH利用高溫擴散驅(qū)動雜質(zhì)穿過硅晶格。硅中固態(tài)雜質(zhì)的擴散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。
在淀積過程中，硅片被送入高溫擴散爐，雜質(zhì)原子從材料源處轉(zhuǎn)移到擴散爐內(nèi)，爐溫通常設(shè)為800~1000℃，持續(xù)時間10~30分鐘，這時雜質(zhì)處于硅片的表面，為防止雜質(zhì)的流失，在硅的表面需要生成薄層氧化層harmonic雜質(zhì)處理諧波CSF-50-160-2UH。預(yù)淀積過程為擴散過程建立了濃度梯度，從表面深入到硅片的內(nèi)部，雜質(zhì)的濃度逐漸降低
