在對(duì)連在一組8位端口上的8個(gè)DS18B20操作時(shí)，是同時(shí)對(duì)該組端口進(jìn)行操作，也即同時(shí)對(duì)8個(gè)DS18B20器件進(jìn)行同步的操作。
范例程序是根據(jù)筆者的項(xiàng)目當(dāng)中的功能需求而設(shè)計(jì)的，不一定會(huì)適合所有人的使用方法，但程序設(shè)計(jì)思想是可以參考的，這點(diǎn)請(qǐng)使用者在參考本文時(shí)對(duì)這里的范例進(jìn)行一定的取舍。下面詳細(xì)介紹一個(gè)以MCS51系列單片機(jī)的應(yīng)用為例的范例程序，其中約定與8個(gè)DS18B20器件進(jìn)行連接的是P1端口。
2.3.1 底層時(shí)序驅(qū)動(dòng)
底層時(shí)序驅(qū)動(dòng)程序與DS18B20的一線制總線的協(xié)議保持一致，根據(jù)一線制總線時(shí)序的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了四個(gè)基本的函數(shù)：
總線寫(xiě)1時(shí)序控制函數(shù)：
void DS18B20_Write_1(void)
{
P1 = 0x00; //8個(gè)DQ 線全部設(shè)置為低電平
Delay_1us(10); //延時(shí)10us左右
P1 = 0xff; //8個(gè)DQ線全部輸出高電平
Delay_1us(30); //延時(shí)30us左右
}
總線寫(xiě)0時(shí)序控制函數(shù)：
void DS18B20_Write_0(void)
{
P1 = 0x00; //8個(gè)DQ 線全部設(shè)置為低電平
Delay_1us(40); //延時(shí)
P1 = 0xff; //端口恢復(fù)高電平
Delay_1us(1);
}
總線讀取一個(gè)數(shù)據(jù)位時(shí)序控制函數(shù):
unsigned char DS18B20_ReadDQ(void)
{
unsigned char DQ_S=0;
P1 = 0x00; //8個(gè)DQ 線全部設(shè)置為低電平
Delay_1us(10);
P1 = 0xff; //端口置1，準(zhǔn)備讀取
Delay_1us(1); //延時(shí)待總線準(zhǔn)備好數(shù)據(jù)
DQ_S = P1; //一次性讀取8條DQ線的數(shù)據(jù)狀態(tài)
P1 = 0xff; //恢復(fù)端口電平
Delay_1us(30); //延時(shí)
return DQ_S; //返回讀取的值
}
在讀取一個(gè)總線狀態(tài)數(shù)據(jù)位的函數(shù)中，將會(huì)返回一個(gè)byte的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)的8個(gè)位正好與連接在P2端口上的8個(gè)I/O口對(duì)應(yīng)，如下圖所示：

總線復(fù)位時(shí)序控制函數(shù)：
void DS18B20_Reset(void)
{
unsigned char Error_Counter=0;
P1 = 0x00; //8個(gè)DQ 線全部設(shè)置為低電平
Delay_1us(500); //保持總線低電平500us
P1 = 0xff;
Delay_1us(100);
if(P1!=0x00) B20_Error = P1;//如檢測(cè)到DS18B20總線響應(yīng)了回復(fù)信號(hào)，則讀取當(dāng)前8條
//總線的狀態(tài)
Delay_1us(50);
P1 = 0xff;
for(Error_Counter=0;Error_Counter<200;Error_Counter++)
{
if((P1&(~B20_Error))==(~B20_Error)) break; //如檢測(cè)到總線的回復(fù)信號(hào)結(jié)
//束，則退出循環(huán)
Delay_1us(1);
}
P1 = 0xff; //恢復(fù)端口電平
Delay_1us(200); //延時(shí) 200us~~~
}
在復(fù)位時(shí)序控制的函數(shù)中，使用了B20_Error全局變量，它將會(huì)傳遞給上一層的數(shù)據(jù)處理函數(shù)作為判斷當(dāng)前8個(gè)I/O口所接的DS18B20是否正常工作，或者是否在各自的總線上。
2.3.2 操作協(xié)議相關(guān)的函數(shù)
分析DS18B20的一線制總線控制命令，可以提煉出兩個(gè)最基本的操作函數(shù)，一個(gè)是寫(xiě)一個(gè)byte數(shù)據(jù)至DS18B20器件，另一為讀取DS18B20器件的數(shù)據(jù)。而在本文的范例程序當(dāng)中，僅僅為了提取DS18B20器件的轉(zhuǎn)換完后的溫度值，所以在讀取DS18B20的數(shù)據(jù)時(shí)，僅讀取存放在數(shù)據(jù)地址前兩個(gè)字節(jié)的溫度數(shù)據(jù)，而不讀取其它字節(jié)的數(shù)據(jù)，包括CRC校驗(yàn)值也沒(méi)有進(jìn)行讀取，供參考。
寫(xiě)字節(jié)操作函數(shù)：
void DS18B20_WriteByte(unsigned char Com)
{
unsigned char i;
for(i=0;i<8;i++)
{
if(Com&0x01)
DS18B20_Write_1();
else
DS18B20_Write_0();
Com = Com>>1;
}
}
調(diào)用DS18B20_WriteByte函數(shù)，連在8個(gè)I/O口上的一線制總線上的8個(gè)DS18B20器件，將都會(huì)接收到同樣的一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)：Com。
讀數(shù)據(jù)操作函數(shù)：
unsigned char Read_buf_8ch[16]; //buffer of Read DS18B20
void DS18B20_Read2Byte(void)
{
unsigned int i;
for(i=0;i<16;i++)
{
Read_buf_8ch = DS18B20_ReadDQ();
}
}
前面已經(jīng)介紹過(guò)了，在本范例中，只讀取位到DS18B20內(nèi)部數(shù)據(jù)區(qū)域的前兩節(jié)字的溫度值數(shù)據(jù)，所以數(shù)據(jù)讀取函數(shù)設(shè)計(jì)成讀取兩個(gè)字節(jié)的函數(shù)，即需要連續(xù)讀取16個(gè)位（對(duì)應(yīng)于每一個(gè)DS18B20器件來(lái)說(shuō)是連續(xù)的16個(gè)位）。而將讀回的數(shù)據(jù)保存于一個(gè)Read_buf_8ch（簡(jiǎn)寫(xiě)：Rb）的數(shù)組中，可以根據(jù)系統(tǒng)的接線圖對(duì)讀回的16個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，如下圖所示：