產(chǎn)品詳情
氮化鋁陶瓷基片(AlN)
AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導(dǎo)率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導(dǎo)率大于140W/m.k）、較低的介電常數(shù)（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)（4.4×10－4/℃）等優(yōu)點，化學(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近,強度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，無毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
主要應(yīng)用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導(dǎo)體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料，廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。
產(chǎn)品特點
高導(dǎo)熱性
熱膨脹系數(shù)跟Si接近
優(yōu)良的絕緣性能
較低介電常數(shù)和介質(zhì)損耗
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AlN(氮化鋁)陶瓷基片主要性能指標(biāo) |
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性能內(nèi)容 |
性能指標(biāo) |
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體積密度 (g/cm3) |
3.335 |
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抗熱震性 |
無裂紋、炸裂 |
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熱導(dǎo)率 (30℃, W/m.k) |
≥170 |
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膨脹系數(shù) (/℃, 5℃/min, 20-300℃) |
2.805×10-6 |
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抗折強度 (MPa) |
382.7 |
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體積電阻率(Ω.cm) |
1.4×1014 |
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介電常數(shù)(1MHz) |
8.56 |
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化學(xué)穩(wěn)定性 (mg/cm2) |
0.97 |
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擊穿強度 (KV/mm) |
18.45 |
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表面粗糙度(μm) |
0.3~0.5 |
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翹曲度(length‰) |
≤2‰ |
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外觀/顏色 |
致密、細(xì)晶/ 暗灰色 |
加工設(shè)備：
