IPM 測試系統(tǒng)

數(shù)量(臺) 價格
100 188.00元/臺
  • 最小起訂: 1臺
  • 發(fā)貨地址: 陜西 西安市
  • 發(fā)布日期:2018-06-04
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西安誼邦電子科技有限公司

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  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核 營業(yè)執(zhí)照
  • 經(jīng)營模式: 生產(chǎn)加工-其他有限責(zé)任公司
  • 所在地區(qū):陜西 西安市
  • 家家通積分:550分
詳細參數(shù)
品牌易恩電氣型號ENI1220
類型電參數(shù)測量儀測量對象IPM模塊
測量范圍IPMIGBTDIODE測量精度1mV
加工定制外形尺寸204mm*104mm*63mm
重量175KG產(chǎn)地陜西西安

產(chǎn)品詳情

ENI1220 IPM 測試系統(tǒng)  

 

 

系統(tǒng)概述

 

基礎(chǔ)配置

 

該系統(tǒng)是測試IPM的測試設(shè)備,輸出電壓3000v.電流3000A,

系統(tǒng)通過外接數(shù)字溫度計來觀察vf的特征在通過標準溫度和測量溫度下的溫度特征。

 

電壓

電流

 

 

標配

選配

標配

選配

 

 

1200V

1000V

200A

200A

 

 

2200V

400A

 

 

3300V

600A

 

 

4500V

1000A

 

 

6000V

2000A

 

配置/短路測試

 

電壓

電流

短路測試

 

標配

選配

標配

選配

項目

范圍

誤差

分辨率

 

1200V

2200V

200A

400A

VPN

100V~1200V

±3%

10V

 

3300V

600A

測試電流

10A~75A

±3%

1A

 

4500V

1000A

短路電流

100A~500A

±3%

1A

 

6000V

2000A

短路時間

1 uS~10uS

可調(diào)

可調(diào)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

測試功能

 

測試范圍

測試參數(shù)

 

IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS

 

IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

 

DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

參數(shù) / 精度

 

靜態(tài)參數(shù)

 

動態(tài)參數(shù)

 

上橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-H)

關(guān)

數(shù)

集電極電壓Vce:

100~1200V,

誤差±3%,分辨率10V

 

上橋IGBT/FRD耐壓測試(Bvce-H)

 

上橋驅(qū)動IC低端靜態(tài)電流測試(IDH)

集電極電流Ice:

10~75A,

誤差±3%,分辨率1A

 

上橋驅(qū)動IC高端靜態(tài)工作電流測試

(Iqbs-U,V,W)

 

VD=VBS=15V,           

誤差±3%,分辨率0.1V

 

上橋欠壓保護監(jiān)測電平 (UVbsd-U V W)

VIN=0~5V             

誤差±3%,分辨率0.1V   

上橋欠壓保護復(fù)位電平(UVbsr-U V W)

ton-L : 10~500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

 

上橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓測試

(Vth(on)-UH VH WH)

tc(on)-L :5~200nS,

誤差±3%,分辨率1nS    

 

toff-L: 50~500nS,   

誤差±3%,分辨率1nS

 

上橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓測試

(Vth(off)-UH VH WH)

tc(off)-L: 5~200nS,

誤差±3%,分辨率1nS     

 

Trr-L :10~500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

 

上橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UH VH WH)

Eon-L :0.1~10mJ,   

誤差±3%,分辨率0.1mJ  

 

上橋FRD正向壓降測試(VF-(UH VH WH)

Eoff-L: 0.1~10mJ  

誤差±3%,分辨率0.1mJ

 

下橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-L)

關(guān)

數(shù)

集電極電壓Vce:

100~1200V,

誤差±3%,分辨率10V

 

下橋驅(qū)動IC靜態(tài)工作電流測試(IDL)

 

故障輸出電壓測試(Vfoh Vfol)

集電極電流Ice:

10~75A,

誤差±3%,分辨率1A

 

過流保護閾值電壓測試(Vcin(ref))

 

下橋欠壓保護監(jiān)測電平(UVdd)

VD=VBS=15V,           

誤差±3%,分辨率0.1V

 

下橋欠壓保護復(fù)位電平(UVdr)

VIN=0~5V             

誤差±3%,分辨率0.1V   

 

下橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓

(Vth(on)-UL VL WL)

ton-L : 10~500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

 

tc(on)-L :5~200nS,

誤差±3%,分辨率1nS    

 

下橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓

(Vth(off)-UL VL WL)

toff-L: 50~500nS,   

誤差±3%,分辨率1nS

 

tc(off)-L: 5~200nS,

誤差±3%,分辨率1nS     

 

下橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10~500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

 

下橋FRD正向壓降測試(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1~10mJ,   

誤差±3%,分辨率0.1mJ  

 

 

 

Eoff-L: 0.1~10mJ  

誤差±3%,分辨率0.1mJ


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