產(chǎn)品詳情
分立器件動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200
陜西天士立科技有限公司
專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗
晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200
基礎(chǔ)信息
高壓源：1200V（選配2000V）
高流源：100A（選配200A/300A/500A）
驅(qū)動電壓：±20V（選配±30V）
時間分辨率：1ns（選配400ps/200ps/100ps）
系統(tǒng)雜感：＜20nH
測試對象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（選配BJT）
變溫測試：常溫~150℃/200℃
感性負載：程控電感（0.01~160mH，步進10uH）
阻性負載：程控電阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）備用三個
測試管型：可以測試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs
測試標準：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023
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晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200
試驗原理舉例
晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200
技術(shù)特點
1. 專注寬禁帶功率器件動態(tài)參數(shù)評測，軟件程控，測試條件界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動調(diào)節(jié)一鍵測試
2. 采用光纖驅(qū)動信號通訊，響應速度快，抗干擾能力強
3. 自動加熱可由室溫~200℃，精度±0.1℃
4. 測試結(jié)果Excel，JPEG波形，波形任意縮放細節(jié)展寬分析
5. 測試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實測)
6. 柵極驅(qū)動電阻Rg端口開放，按設(shè)定條件匹配電阻
7. DualARM控核，DSP數(shù)據(jù)采樣計算，極大減少控制時延誤差
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晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200
試驗能力
標配：開通特性測試單元/Turn_ON
標配：關(guān)斷特性測試單元/Turn_OFF
標配：二極管反向恢復測試單元/Trr
標配：柵電荷測試單元/Qg¨
選配：容阻測
試單元/CR¨
選配：短路測試單元/SC¨
選配：雪崩測試單元/UIS¨
選配：安全工作區(qū)單元/SOA¨
選配：動態(tài)電阻單元/
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晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200
參數(shù)指標
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√ 標配（阻性/感性）開關(guān)測試單元 / Turn_ON/OFF |
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漏極電壓： 5V-1200V， 分辨率 1V |
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漏極電流： 1A-100A， 分辨率1A； |
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柵極驅(qū)動： ±20V （選配±30V）， 分辨率 0.1V |
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柵極電流： 2A/MAX |
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脈沖寬度： 1us-500us,步進 0.1us |
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時間精度： 1ns |
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感性負載： 0.01mH-160mH 程序控制， 步進 10uH |
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阻性負載： 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω , 程控， 備用三個電阻 |
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開關(guān)時間： ton/toff： 1-10000ns分辨率1ns （選配400/200/100ps） |
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開關(guān)延遲： td(on)/td(off）： 0.1-10000ns@1ns （選配400/200/100ps） |
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上下時間/tr/tf： 1-10000ns分辨率1ns （選配400/200/100ps） |
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開關(guān)損耗/ Eon/Eoff： 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ |
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√ 標配 柵極電荷單元 / Qg |
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驅(qū)動電流： 0-2mA， 分辨率 0.01mA |
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2-20mA， 分辨率 0.1mA |
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20mA-200mA， 分辨率 1mA |
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柵極電壓： ±20V （選配±30V） @0.1V |
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恒流源負載： 1-25A， 分辨率0.1A |
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25-100A(選配200A/300A)@1A |
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漏極電壓： 5-100V， 步進 0.1V |
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100-1200V， 步進 1.0V |
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柵極電荷 Qg： 1nC-100μC |
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漏極電荷 Qgs： 1nC-100μC |
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源極電荷 Qgd： 1nC-100μC |
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平臺電壓 Vgp： 0~30V， 分辨率 0.1V |
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√ 標配 二極管反向恢復測試單元 / Qrr_FRD |
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正向電流： 1A-25A， 分辨率 0.1A |
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25A-100A （選配200A/300A） 分辨率 1A |
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反向電壓： 5v-100V， 步進 0.1V |
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100V-1200V， 步進 1.0v |
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反向恢復時間 Trr： 1-10000ns， 最小分辨率1ns （選配400/200/100ps） |
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反向恢復電荷 Qrr： 1nC-100μC， 最小分辨率 1nC； |
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反向恢復電流 Irm： 1A-100A （選配200A/300A）； |
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反向恢復損耗 Erec： 1-2000mJ， 最小分辨率 1uJ； |
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電流下降率 dif/dt： 50-1kA/us； |
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電壓變化率 dv/dt： 50-1kV/us。 |
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¨ 選配 短路特性測試單元/ SC |
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電流： 1000A/MAX |
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脈寬： 1us~100us |
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柵驅(qū)電壓： ±20V （選配±30V） @0.1V |
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漏極電壓： 5V~100V， 0.1V 分辨率 |
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100V~1200V， 1.0V 分辨率 |
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¨ 選配 雪崩測試單元 / UIS |
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雪崩耐量/EAS： 100J |
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雪崩擊穿電壓/2500V |
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雪崩電流/IAS： 1.0-400A 分辨率 1.0A |
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感性負載/0.01-160mH@10μH， 程控可調(diào) |
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¨ 選配 容阻測試單元 / CR |
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掃頻范圍： 0.1MHz～5MHz |
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漏源極電壓： 1200V， 分辨率 1V |
¨ 選配 動態(tài)電阻Ron,dy
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