產(chǎn)品詳情
目前,封裝基板材料主要采用氧化鋁陶瓷或高分子材料,但隨著電子產(chǎn)品的小型化,使集成電路(IC)和電子系統(tǒng)在半導(dǎo)體工業(yè)上也朝向高集成密度以及高功能化的方向發(fā)展。因此,如今對(duì)于電子零件的承載基板要求越來越嚴(yán)格,其中,高熱導(dǎo)率更加成為電路高度集成化和小型化的突破口,氧化鋁陶瓷基板也越來越難以滿足發(fā)展要求。由于AlN具有良好的物理和化學(xué)性能逐步成了封裝材料的首要選擇。圖2為高功率應(yīng)用的氮化鋁陶瓷基板和封裝。廠家定制氮化鋁陶瓷結(jié)構(gòu)件
氮化鋁陶瓷室溫比較強(qiáng)度高,且不易受溫度變化影響,同時(shí)具有比較高的熱導(dǎo)系數(shù)和比較低的熱膨脹系數(shù),是一種優(yōu)良的耐熱沖材料及熱交換材料,作為熱交換材料,可望應(yīng)用于燃?xì)廨啓C(jī)的熱交換器上。
由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤(rùn)濕等特性,所以可以用其作坩堝、保護(hù)管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護(hù)管中,由于它不粘附熔融金屬,在800~1000℃的熔池中可以連續(xù)使用大約3000個(gè)小時(shí)以上并且不會(huì)被侵蝕破壞。此外,由于氮化鋁材料對(duì)熔鹽砷化鎵等材料性能穩(wěn)定,那么將坩堝替代玻璃進(jìn)行砷化鎵半導(dǎo)體的合成,能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。
微波衰減的研究應(yīng)用已經(jīng)逐漸從軍事方面向人們的日常生活方面滲透,如人體安全防護(hù),雷達(dá)探測(cè)和波導(dǎo)或同軸吸收元件。它的本質(zhì)就是在介質(zhì)內(nèi)部,通過極化這種物理機(jī)制將微波能量轉(zhuǎn)化為熱能并經(jīng)由材料本身將熱能交換到外界環(huán)境中去,被越來越多的應(yīng)用到大功率微波電真空器件中。
AlN的介電損耗值較低,為了使之適合作為微波衰減材料,通常添加導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性都良好的金屬或者陶瓷作為微波衰減劑制備成Al N 基的微波衰減陶瓷。目前研究中所涉及到的導(dǎo)電添加劑有碳納米管、TiB2、TiC以及金屬M(fèi)o、W、Cu等。
總之,AlN陶瓷材料在電子領(lǐng)域和電力、機(jī)車、航空和航天、國(guó)防和軍工、通訊以及眾多工業(yè)領(lǐng)域都具有廣闊的應(yīng)用前景和廣泛的潛在市場(chǎng)。廠家定制氮化鋁陶瓷結(jié)構(gòu)件