產(chǎn)品詳情
晶體缺陷包括體內(nèi)和表面缺陷,體內(nèi)缺陷包括位錯(cuò)和層錯(cuò)。
位錯(cuò)通常由襯底中的位錯(cuò)延伸而成,harmonic顯微鏡裝配諧波CSF-11-30-2A-R當(dāng)襯底表面存在機(jī)械損傷,片子在升降溫過(guò)程中遭受巨大熱沖擊時(shí),就會(huì)在晶體內(nèi)產(chǎn)生大量位錯(cuò),因此應(yīng)該避免襯底硅片機(jī)械劃傷和襯底不均勻升降溫。位錯(cuò)的檢驗(yàn)方法有鉻酸化學(xué)腐蝕法、紅外顯微鏡直接觀察法、X射線(xiàn)衍射形貌照相法和掃描電子顯harmonic顯微鏡裝配諧波CSF-11-30-2A-R微鏡分析法等。
層錯(cuò)有外延層錯(cuò)和熱氧化層錯(cuò)兩種。當(dāng)襯底表面存在劃痕harmonic顯微鏡裝配諧波CSF-11-30-2A-R、雜質(zhì)沾污、氧化物或局部雜質(zhì)積累,而外延時(shí)晶核恰巧在這些不均勻區(qū)域內(nèi)長(zhǎng)大,就會(huì)破壞襯底原來(lái)的晶格原子的規(guī)則排列,造成外延層和襯底間的晶格失配