產(chǎn)品詳情
印刻是在覆蓋半導體芯片表面的光敏感材料薄層(稱為光阻)印上幾何鑄型。哈默納科高分子加工諧波CSG-65-160-2A-GR 不同的光阻鑄型不止一次的印刻在晶層上,以形成元件圖樣。再經(jīng)蝕刻程序獲得各不同區(qū),以便進行植入、擴散等前幾節(jié)所敘述的步驟。
光阻化合物對輻射具敏感性,可區(qū)分為正光阻及負光阻。正哈默納科高分子加工諧波CSG-65-160-2A-GR 光阻經(jīng)過光照后,曝光區(qū)可以化學物質(zhì)(去光阻劑或顯影液)溶解除去;負光阻正好相反。正光阻的組成有三:對光敏感化合物、樹脂及有機溶劑。負光阻是含光敏感組成的高分子
晶圓上光阻后,經(jīng)曝光處理,再由顯影液將曝光區(qū)的正光阻溶解、洗哈默納科高分子加工諧波CSG-65-160-2A-GR 凈、涼干,再經(jīng)蝕刻去除曝光區(qū)的絕緣層,而未曝光區(qū)的光阻則不受蝕刻影向,最后除去剩余光阻,可用溶液(如H2SO4+H2O2槽)或電漿氧化