harmonic精確控制諧波CSG-65-160-2A-GR

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詳細(xì)參數(shù)
品牌HarmonicDrive型號CSG-65-160-2A-GR
類型諧波減速器載荷狀態(tài)中等沖擊載荷
傳動比級數(shù)三級軸的相對位置立式加速器
傳動布置形式分流式加工定制
樣品或現(xiàn)貨現(xiàn)貨齒面硬度軟齒面
布局形式三環(huán)式用途變速機(jī)
輸入轉(zhuǎn)速1450rpm額定功率15kw
輸出轉(zhuǎn)速范圍111rpm許用扭矩52000N.m
使用范圍機(jī)械設(shè)備減速比43
產(chǎn)地日本

產(chǎn)品詳情

擴(kuò)散及離子植入是用來控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序。harmonic精確控制諧波CSG-65-160-2A-GR    擴(kuò)散方法是使用植入雜質(zhì)或雜質(zhì)的氧化物作氣相附著,將雜質(zhì)原子植入半導(dǎo)體晶圓的表面附近區(qū)域。harmonic精確控制諧波CSG-65-160-2A-GR雜質(zhì)濃度由表面成單調(diào)遞減,雜質(zhì)的分布固形取決于溫度及擴(kuò)散時(shí)間。離子植入程序中,雜質(zhì)是以高能呈離子束植入半導(dǎo)體中。植入雜質(zhì)的濃度在半導(dǎo)體內(nèi)存在一高峰,雜質(zhì)的分布圖形取決于離子的質(zhì)量與植入能量。離子植入程序的優(yōu)點(diǎn)在于雜質(zhì)量的精確控制,雜質(zhì)分布的再重整,以及低溫下操作。擴(kuò)散與離子植入之比較如圖1.3所示。

雜質(zhì)的擴(kuò)散基本上是將半導(dǎo)體晶圓置于熔爐中,然后以帶雜質(zhì)原harmonic精確控制諧波CSG-65-160-2A-GR子的惰性氣體通過。于硅擴(kuò)散作用中,最常使用的雜質(zhì)為硼、砷及磷,這三種元素在硅中的溶解度相當(dāng)高

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