產(chǎn)品詳情
現(xiàn)代集成電路程序中,以氯介入氧化劑來改善氧化層的質(zhì)量及Si-SiO2,接合面的性質(zhì)哈默納科低壓電子諧波CSG-65-160-2A-GR 。氯包含在氣、氯化氫HCl或二氯乙烷中,其將Si-SiO2,接合面的雜質(zhì)反應(yīng)成揮發(fā)性哈默納科低壓電子諧波CSG-65-160-2A-GR氯化物,多余的氯會增加介質(zhì)的崩潰強(qiáng)度,減低接合面缺陷密度。介電質(zhì)附著層主要用來隔離及保護(hù)不同種類元件及集成電路。三種常用的附著方法是:大氣壓下化學(xué)蒸氣附著(CVD),低壓化學(xué)蒸氣附著(LPCVD)及電漿化學(xué)蒸氣附著(PCVD,或電漿附著)?;瘜W(xué)哈默納科低壓電子諧波CSG-65-160-2A-GR蒸氣附著生成約二氧化硅并不取代熱生長的氧化層,因?yàn)楹笳呔哂休^佳的電子性質(zhì)。