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濕法清洗
濕法清洗采用液體化學(xué)溶劑和DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、日本HD光電子設(shè)備諧波CSG-45-160-2UH 有機(jī)物及金屬離子污染。通常采用的濕法清洗有RCA清洗法、稀釋化學(xué)法、 IMEC清洗法、單晶片清洗等.
3.1.1 RCA清洗法
最初,人們使用的清洗方法沒有可依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)和系統(tǒng)化。1965年,日本HD光電子設(shè)備諧波CSG-45-160-2UH,并將其應(yīng)用于 RCA元件制作上。該清洗法成為以后多種前后道清洗工藝流程的基礎(chǔ),以日本HD光電子設(shè)備諧波CSG-45-160-2UH大多數(shù)工廠中使用的清洗工藝基本是基于最初的RCA清洗法。