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不用變?nèi)荻䴓O管的高頻振蕩器的頻率調(diào)制
不用變?nèi)荻䴓O管的高頻振蕩器的頻率調(diào)制
作者:佚名  來源:不詳  錄入:Admin  更新時間：2008-7-27 14:28:30  點擊數(shù)：3
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高頻振蕩器的頻率調(diào)制一般用變?nèi)荻䴓O管來實現(xiàn)，但變?nèi)荻䴓O管的電壓變化要大才能達到合適的電容變化，這給以電池為能源，電壓較低的系統(tǒng)帶來困難。

    現(xiàn)介紹一種基極充電調(diào)制方法。雙極晶體管的基極充電電容與集電極電流成正比。Cb=λf×qIc/KT式中：Cb=基極充電電容；λf=基極過渡時間；Ic=集電極電流；q=電荷；K=波爾滋曼常數(shù)；T=溫度（K）

      電阻R1確定Q1的電流，調(diào)制輸入電壓Vmod通過R2控制集電極電流。負阻抗型振蕩器的波導(dǎo)線決定振蕩頻率，T1（T8800）是高質(zhì)低損耗瓷同短1/4波長波導(dǎo)線。在合適的端阻抗下，Q1的基極可呈現(xiàn)負阻抗，T1與此負阻抗相互作用產(chǎn)生連續(xù)振蕩。

改變Q1的電流，再改變充電電容來完成頻率調(diào)制。

      
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