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碳納米管提升了功率半導體器件的性能
碳納米管提升了功率半導體器件的性能
 更新時間:2008-8-18 9:34:38  點擊數(shù):7
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---Infineon Technologies AG公司(位于德國慕尼黑)的研究人員已制作成功首款采用碳納米管的功率半導體器件,在此之前人們一直認為這種器件不適合于功率應用中所使用的高電壓和高電流。采用常規(guī)化學汽相淀積工藝生產(chǎn)的這種納米管過去曾被用來試制功率晶體管。


---被用作LED或電機控制開關的這種試制器件由大約300個并行排列的納米管組成,它能夠在2.5V電壓條件下提供2mA的電流。雖然人們已經(jīng)在研究實驗室里采用納米管來制作電腦芯片用的晶體管,但這種場合中的電壓則低了大約1000倍。研究小組的實驗結(jié)果表明:采用碳納米管制作的功率晶體管的開關電阻典型值比傳統(tǒng)的晶體管低大約20倍,從而降低了功耗。
---研究人員還證實基于碳的晶體管能夠承受比硅器件高200倍左右的電流密度。此外,該試制品還具有制造工藝簡單,開關速度快及散熱低的特點。
---該試制品目前尚處研究階段,何時開始規(guī)模生產(chǎn)還不明朗。如欲了解更多的信息,請致電Infineon Technologies公司的Christoph Liedtke,電子郵件christoph.liedtke@infineon.com。


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