圖6：SED的結構。每個子像素都有一個獨特的用于提供電子流的電極對
b.第2步
穿越間隙并撞擊對面電極的電子要么被吸收進對面電極(因此只產生熱量，不發(fā)光)，要么被散射出來，再被陽極電位建立的電場所捕獲，并加速撞擊某個精確熒光點，從而產生紅、綠或藍光點。這種組合式電子發(fā)射加電子束散射過程如圖7所示，其中Va代表陽極電位，Vf是跨越間隙的驅動電位。許多散射事件可能發(fā)生在電子被陽極電場捕獲之前。因此被陽極捕獲的電子數(shù)量的效率(Ie/If,圖7)非常低，大約在3%，但功效比較理想，因為Vf比較低，約在20V。值得注意的是，到達陽極的電子流一致性取決于間隙處的電場發(fā)射電流以及像素到像素的散射事件效率。
圖7：表面?zhèn)鲗Оl(fā)射器發(fā)射機制
上述發(fā)射器是采用多種技術制造的。簡單的矩陣連線通過印刷方法沉積而成，這種方法在交叉點處使用銀線和絕緣薄膜。鉑(Pt)電極采用薄膜光刻制成，這些電極之間的間隙是60nm。納米碳間隙采用兩步工藝創(chuàng)建，最先是在Pt電極上和電極間用噴墨印刷方法沉積PdO薄膜(10nm厚)。這層薄膜由直徑約10nm的超細PdO顆粒組成。然后是第一步，在兩個Pt電極之間的這種PdO薄膜上施加一串電壓脈沖，通過減少氧化層在該薄膜上“形成”一個間隙。由于基底處于真空環(huán)境，脈沖熱量會減少PdO。隨著PdO的減少，薄膜會受到一定的壓力，最終在PdO點的直徑范圍內形成亞微米的間隙。
然后，將陰極暴露在有機氣體中“激活”間隙，并往間隙上施加更多的脈沖電壓。這些脈沖電壓將形成局部放電，并導致間隙中形成類似CVD的碳薄膜沉積，最終間隙將縮小至自我限制的5nm數(shù)量級距離。當間隙較大時，由于碳氫化合物分子在因放電形成的等離子區(qū)內的分裂而沉積成碳元素。隨著間隙逐漸變小，脈沖生成的局部放電電流會越來越大，材料將逐漸蒸發(fā)。當間隙為5nm時，碳元素的沉積和蒸發(fā)達到平衡。這種間隙的寬度受有機氣體壓力和脈沖電壓的控制。間隙的橫截面圖像如圖8所示。
圖8：(頂部)采用成型和激活工藝制造的納米碳間隙的SED橫截面圖。
(底部)納米碳間隙結構的框圖�；讚p耗是由于激活工藝局部產生的高溫引起的
與FED相似，SED也是逐行驅動的，如圖9所示。掃描電路產生掃描信號(Vscan)，信號調制電路產生同步于掃描信號的脈寬調制信號(Vsig)。由于表面?zhèn)鲗Оl(fā)射器具有高度非線性的Ie-If特性，可以不用有源單元而使用簡單的矩陣x-y配置來有選擇地驅動每個像素，并在信號電壓為18.9V、掃描電壓為9.5V時仍能獲得100000:1的亮度對比度。相比之下，基于CNT的FED結構的典
型信號電壓為 35" 50 V，掃描電壓為50" 100 V。SED開關器件的電壓低得多，但它們必須針對更高的穩(wěn)態(tài)電流負載進行設計，由于SCE電子散射機制的低效率，最高電流可達30倍。SED的大電流還要求互連線阻抗比FED低，因為即使線上一個很小的壓降也會導致邊到邊的非一致性。
本文小結
SED和其它FED技術有許多相似的部分，例如
