ns（MIN）；MOSI建立到SCK變高時間為30 ns（MIN）；SCK變高后MOSI保持時間為2×30 ns（MIN）；SCK變低到MISO有效時間為10 ns（MIN）～32 ns（MAX）（一般取16 ns）；芯片檫除指令周期為500 ms；串行字節(jié)寫周期為64×30 ns+400 ns。
　　實驗數(shù)據(jù)：
　　晶體震蕩器的頻率為33 MHz（MAX），所以周期T=1/F=1/33 MHz=30 ns（MIN）；芯片擦除指令周期為200 ms；SCK變高后MOSI保持時間為1 ms（MIN）。
　　編者注： 本文為期刊縮略版，全文見本刊網(wǎng)站http://www.mesnet.com.cn/。
參考文獻
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