產(chǎn)品詳情
cvd化學(xué)氣相沉積實(shí)驗(yàn)爐
cvd化學(xué)氣相沉積實(shí)驗(yàn)爐：多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成，可根據(jù)用戶(hù)需要設(shè)計(jì)生產(chǎn)（有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)），可預(yù)抽真空（有高真空、低真空），通多種氣氛（供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量控制器和浮子流量控制器）。真空泵、閥均采用進(jìn)口設(shè)備，性能可靠。控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，具有控溫精度高，溫沖幅度小，性能可靠，簡(jiǎn)單易操作等特點(diǎn)。CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。
cvd化學(xué)氣相沉積實(shí)驗(yàn)爐技術(shù)參數(shù)：
真空管式爐：
爐管尺寸：外徑Φ50、Φ60、Φ80、Φ100×1000mm
極限溫度：1200 ℃ 工作溫度：≤1150 ℃
溫度控制器：PID自動(dòng)控制晶閘管（可控硅）輸出功率，30段可編程控制器
最快升&降溫速率：20℃/min
加熱區(qū)：400mm恒溫區(qū)：200mm
控溫精度：±1 ℃電源：?jiǎn)蜗?/span>220V，交流50Hz
多通道流量計(jì)控制系統(tǒng)：
標(biāo)準(zhǔn)量程：100，200，200，500SCCM（以氮?dú)鈽?biāo)定，除以上標(biāo)準(zhǔn)外量程可選）
準(zhǔn)確度：±1.5%工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa最大壓力：3MPa接頭類(lèi)型：Φ6雙卡套不銹鋼接頭
高真空真空泵組：
干濕：完全無(wú)油的干式高真空真空泵組
分子泵抽速61L/s
工作電流：220V
進(jìn)氣口DN63 ISO-K
極限總壓5.0×10-4Pa 10-6mabr
