一、led歷史
50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識，1962年，通用電氣公司的尼克？何倫亞克（NickHolonyakJr.）開發(fā)出第一種實際應用的可見光發(fā)光二極管。LED是英文lightemittingdiode（發(fā)光二極管）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，即固體封裝，所以能起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。
最初LED用作儀器儀表的指示光源，后來各種光色的LED在交通信號燈和大面積顯示屏中得到了廣泛應用，產生了很好的經濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈為例，在美國本來是采用長壽命、低光效的140瓦白熾燈作為光源，它產生2000流明的白光。經紅色濾光片后，光損失90%，只剩下200流明的紅光。而在新設計的燈中，Lumileds公司采用了18個紅色LED光源，包括電路損失在內，共耗電14瓦，即可產生同樣的光效。汽車信號燈也是LED光源應用的重要領域。
二、LED芯片的原理
LED（LightEmittingDiode），發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。
三、主要芯片廠商
德國的歐司朗，美國的流明、CREE、AXT，臺灣的廣稼、國聯（FPD）、鼎元（TK）、華汕（AOC）、漢光（HL）、艾迪森、光磊（ED），韓國的有首爾，日本的有日亞、東芝，大陸的有大連路美、福地、三安、杭州士蘭明芯、仿日亞等它們都是大家耳熟能詳的芯片供應商，下面根據產地細分下。
臺灣LED芯片廠商：晶元光電（Epistar）簡稱：ES、（聯詮、元坤，連勇，國聯），廣鎵光電（Huga），新世紀（GenesisPhotonics），華上（ArimaOptoELectronics）簡稱：AOC，泰谷光電（Tekcore），奇力，鉅新，光宏，晶發(fā)，視創(chuàng)，洲磊，聯勝（HPO），漢光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）簡稱：TK，曜富洲技TC，燦圓（FormosaEpitaxy），國通，聯鼎，全新光電（VPEC）等。華興（LedtechElectronics）、東貝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLightElectronics）、億光（EverlightElectronics）、佰鴻（BrightLEDElectronics）、今臺（Kingbright）、菱生精密（LingsenPrecisionIndustries）、立基（LigitekElectronics）、光寶（Lite-OnTechnology）、宏齊（HARVATEK）等。
大陸LED芯片廠商：三安光電簡稱（S）、上海藍光（Epilight）簡稱（E）、士蘭明芯（SL）、大連路美簡稱（LM）、迪源光電、華燦光電、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀晶源、廣州普光、揚州華夏集成、甘肅新天電公司、東莞福地電子材料、清芯光電、晶能光電、中微光電子、乾照光電、晶達光電、深圳方大，山東華光、上海藍寶等。
國外LED芯片廠商：CREE，惠普（HP），日亞化學（Nichia），豐田合成，大洋日酸，東芝、昭和電工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，歐司朗（Osram），GeLcore，首爾半導體等，普瑞，韓國安螢（Epivalley）等
四、LED芯片的分類
1.MB芯片定義與特點
定義：MetalBonding（金屬粘著）芯片；該芯片屬于UEC的專利產品。特點：
?。?）采用高散熱系數的材料---Si作為襯底，散熱容易。
ThermalConductivity
GaAs：46W/m-KGaP：77W/m-K
Si：125——150W/m-K
Cupper：300——400W/m-k
SiC：490W/m-K
?。?）通過金屬層來接合（waferbonding）磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。
?。?）導電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導能力（導熱系數相差3——4倍），更適應于高驅動電流領域。
（4）底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。
（5）尺寸可加大，應用于Highpower領域，eg：42milMB。
2.GB芯片定義和特點
定義：GlueBonding（粘著結合）芯片；該芯片屬于UEC的專利產品。特點：
?。?）透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底，其出光功率是傳統(tǒng)AS（Absorbablestructure）芯片的2倍以上，藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
?。?）芯片四面發(fā)光，具有出色的Pattern圖。
?。?）亮度方面，其整體亮度已超過TS芯片的水平（8.6mil）。
?。?）雙電極結構，其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。
3.TS芯片定義和特點
定義：transparentstructure（透明襯底）芯片，該芯片屬于HP的專利產品。特點：
?。?）芯片工藝制作復雜，遠高于ASLED。
?。?）信賴性卓越。
?。?）透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。
?。?）應用廣泛。
4.AS芯片定義與特點
定義：Absorbablestructure（吸收襯底）芯片；經過近四十年的發(fā)展努力，臺灣LED光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)、生產、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平，差距不大。
大陸芯片制造業(yè)起步較晚，其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等。
特點：
（1）四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規(guī)芯片要亮。
?。?）信賴性優(yōu)良。
（3）應用廣泛。
50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識，1962年，通用電氣公司的尼克？何倫亞克（NickHolonyakJr.）開發(fā)出第一種實際應用的可見光發(fā)光二極管。LED是英文lightemittingdiode（發(fā)光二極管）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，即固體封裝，所以能起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。
最初LED用作儀器儀表的指示光源，后來各種光色的LED在交通信號燈和大面積顯示屏中得到了廣泛應用，產生了很好的經濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈為例，在美國本來是采用長壽命、低光效的140瓦白熾燈作為光源，它產生2000流明的白光。經紅色濾光片后，光損失90%，只剩下200流明的紅光。而在新設計的燈中，Lumileds公司采用了18個紅色LED光源，包括電路損失在內，共耗電14瓦，即可產生同樣的光效。汽車信號燈也是LED光源應用的重要領域。
二、LED芯片的原理
LED（LightEmittingDiode），發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。
三、主要芯片廠商
德國的歐司朗，美國的流明、CREE、AXT，臺灣的廣稼、國聯（FPD）、鼎元（TK）、華汕（AOC）、漢光（HL）、艾迪森、光磊（ED），韓國的有首爾，日本的有日亞、東芝，大陸的有大連路美、福地、三安、杭州士蘭明芯、仿日亞等它們都是大家耳熟能詳的芯片供應商，下面根據產地細分下。
臺灣LED芯片廠商：晶元光電（Epistar）簡稱：ES、（聯詮、元坤，連勇，國聯），廣鎵光電（Huga），新世紀（GenesisPhotonics），華上（ArimaOptoELectronics）簡稱：AOC，泰谷光電（Tekcore），奇力，鉅新，光宏，晶發(fā)，視創(chuàng)，洲磊，聯勝（HPO），漢光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）簡稱：TK，曜富洲技TC，燦圓（FormosaEpitaxy），國通，聯鼎，全新光電（VPEC）等。華興（LedtechElectronics）、東貝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLightElectronics）、億光（EverlightElectronics）、佰鴻（BrightLEDElectronics）、今臺（Kingbright）、菱生精密（LingsenPrecisionIndustries）、立基（LigitekElectronics）、光寶（Lite-OnTechnology）、宏齊（HARVATEK）等。
大陸LED芯片廠商：三安光電簡稱（S）、上海藍光（Epilight）簡稱（E）、士蘭明芯（SL）、大連路美簡稱（LM）、迪源光電、華燦光電、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀晶源、廣州普光、揚州華夏集成、甘肅新天電公司、東莞福地電子材料、清芯光電、晶能光電、中微光電子、乾照光電、晶達光電、深圳方大，山東華光、上海藍寶等。
國外LED芯片廠商：CREE，惠普（HP），日亞化學（Nichia），豐田合成，大洋日酸，東芝、昭和電工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，歐司朗（Osram），GeLcore，首爾半導體等，普瑞，韓國安螢（Epivalley）等
四、LED芯片的分類
1.MB芯片定義與特點
定義：MetalBonding（金屬粘著）芯片；該芯片屬于UEC的專利產品。特點：
?。?）采用高散熱系數的材料---Si作為襯底，散熱容易。
ThermalConductivity
GaAs：46W/m-KGaP：77W/m-K
Si：125——150W/m-K
Cupper：300——400W/m-k
SiC：490W/m-K
?。?）通過金屬層來接合（waferbonding）磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。
?。?）導電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導能力（導熱系數相差3——4倍），更適應于高驅動電流領域。
（4）底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。
（5）尺寸可加大，應用于Highpower領域，eg：42milMB。
2.GB芯片定義和特點
定義：GlueBonding（粘著結合）芯片；該芯片屬于UEC的專利產品。特點：
?。?）透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底，其出光功率是傳統(tǒng)AS（Absorbablestructure）芯片的2倍以上，藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
?。?）芯片四面發(fā)光，具有出色的Pattern圖。
?。?）亮度方面，其整體亮度已超過TS芯片的水平（8.6mil）。
?。?）雙電極結構，其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。
3.TS芯片定義和特點
定義：transparentstructure（透明襯底）芯片，該芯片屬于HP的專利產品。特點：
?。?）芯片工藝制作復雜，遠高于ASLED。
?。?）信賴性卓越。
?。?）透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。
?。?）應用廣泛。
4.AS芯片定義與特點
定義：Absorbablestructure（吸收襯底）芯片；經過近四十年的發(fā)展努力，臺灣LED光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)、生產、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平，差距不大。
大陸芯片制造業(yè)起步較晚，其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等。
特點：
（1）四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規(guī)芯片要亮。
?。?）信賴性優(yōu)良。
（3）應用廣泛。
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