報告摘要
缺陷，特別是點缺陷，對半導體的物理特性有著至關(guān)重要的影響，決定其電、光學行為，并決定器件的性能優(yōu)劣。目前，以硅材料為代表的半導體工藝精度已進入2~3nm階段，人類制造技術(shù)的精度正從納米尺度向原子精度推進，以原子和分子為單元構(gòu)建器件的未來制造技術(shù)正走向現(xiàn)實。對于超高精度半導體器件制造科技發(fā)展，材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)（特別是缺陷與摻雜）的準確表征與有效控制一直具有重要意義。隨著半導體器件向尺寸更微小、結(jié)構(gòu)更復雜、功能更強大的不斷發(fā)展，點缺陷對半導體器件性能的影響更加放大，對點缺陷調(diào)控提出了更精準的需求。報告將討論開展半導體點缺陷的單體表征與控制研究相關(guān)的科學難題及實驗技術(shù)。
報告人簡介
劉雷，國家杰出青年科學基金獲得者（2015）。中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員，發(fā)光學及應用國家重點實驗室副主任；中國物理學會發(fā)光分會副主任，中國物理學會半導體物理專業(yè)委員會委員，吉林省物理學會副理事長。2010年，入選中國科學院高層次海外人才計劃，并于2016年終期評估獲優(yōu)秀；2011年，被評為2011年吉林省百名高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)引進人才；2015年，獲得國家杰出青年基金資助；2015年，入選吉林省第五批拔尖創(chuàng)新人才第一層次；2016年，獲聘中國科學院特聘研究員。
主要從事單原子尺度精準的半導體光電材料表征與器件制造研究；發(fā)表《science》、《chemical reviews》、《physical review letters》等高水準學術(shù)論文100余篇，共被sci他引13000余次。
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