9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時(shí)也標(biāo)志著中國半導(dǎo)體創(chuàng)新史步入一個(gè)新紀(jì)元。
該項(xiàng)目建成后將成為全球最大的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，滿產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，產(chǎn)品將為5G移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、無人駕駛、手機(jī)快充等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展提供核心電子元器件。
英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，總占地24.5萬平方米，屬于江蘇省重點(diǎn)項(xiàng)目，一期投資總額超60億元人民幣。項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年年底進(jìn)入試生產(chǎn)階段。
英諾賽科相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，氮化鎵功率芯片量產(chǎn)線的通線投產(chǎn)，填補(bǔ)了我國高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白，同時(shí)也意味著制約我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸得到突破。
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