產(chǎn)品詳情
主要特點
2. 大面積均勻性高:采用了先進的多點射頻饋入技術(shù),特殊氣路分布和加熱技術(shù)等,使得薄膜均勻性指標(biāo)達到8%;
3. 一致性高:用半導(dǎo)體行業(yè)的先進設(shè)計理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
4. 工藝穩(wěn)定性高:高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定;
真空管式爐 |
爐管尺寸: |
外徑Φ50×700mm |
極限溫度: |
1200℃ |
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溫度控制器: |
PID自動控制晶閘管(可控硅)輸出功率,30段可編程控制器 |
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最快升降溫速率: |
60℃ |
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加熱區(qū): |
230mm |
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恒溫區(qū): |
100mm |
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溫度精度: |
±1℃ |
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電源: |
單相220V,交流50Hz |
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多通道流量計控制系統(tǒng) |
標(biāo)準(zhǔn)量程: |
100,200SCCM;(以氮氣標(biāo)定,除以上標(biāo)準(zhǔn)外量程可選) |
準(zhǔn)確度: |
±1.5% |
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工作壓差范圍: |
0.1~0.5 MPa |
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最大壓力: |
3MPa |
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接頭類型: |
Φ6雙卡套不銹鋼接頭 |
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高真空系統(tǒng)
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泵體積流量N2: |
33 L/S |
壓縮比: |
≥1011mbar |
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實驗真空值: |
≤10-6mbar |
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功率消耗: |
140W |
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啟動時間: |
2min |
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電源要求: |
185-265V AC |
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射頻電源 |
信號頻率: |
13.56MHz±0.005%W |
功率輸出范圍: |
0-100W |
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最大反射功率: |
10W |