回收膽電容收購(gòu)貼片電容

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深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司

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產(chǎn)品詳情

2020年3月, 美國(guó)英特爾公司和艾亞實(shí)驗(yàn)室將teraphy硅基光學(xué)輸入/輸出芯粒集成到現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列中,率先將光信號(hào)傳輸元件封裝至芯片內(nèi)部,標(biāo)志著封裝內(nèi)光互連技術(shù)取得突破性進(jìn)展。集成方案是:將teraphy芯粒與現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列“接口數(shù)據(jù)總線”接口的24個(gè)通道相連接,利用“嵌入式多芯片互連橋接”技術(shù)將二者封裝在一起,構(gòu)建封裝內(nèi)集成光學(xué)元件的多芯片模塊。與電互連相比,光互連帶寬密度提高1000倍,功耗降低至1/10。該技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)100太比特/秒的數(shù)據(jù)傳輸速率,大幅提升封裝內(nèi)芯片間的數(shù)據(jù)傳輸能力,滿足信息裝備大數(shù)據(jù)處理需求。
二、darpa三維系統(tǒng)芯片進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段
2020年8月,darpa三維系統(tǒng)芯片開始從實(shí)驗(yàn)室成果轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)業(yè)化階段,darpa將在天水公司200毫米晶圓碳基芯片生產(chǎn)線上,應(yīng)用碳納米管晶體管三維系統(tǒng)芯片制造工藝,重點(diǎn)改進(jìn)芯片品質(zhì),提升芯片良率,化芯片性能,提高邏輯功能密度。三維系統(tǒng)芯片集邏輯運(yùn)算、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能于一身,可實(shí)現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸,提高計(jì)算性能,降低運(yùn)行功耗,將大幅加速人工智能算法和先進(jìn)計(jì)算,對(duì)美國(guó)鞏固信息勢(shì)意義重大。
三、美國(guó)開發(fā)出高靈敏芯片級(jí)激光陀螺儀
2020年3月,美國(guó)加州理工學(xué)院研發(fā)出高靈敏度芯片級(jí)激光陀螺儀,靈敏度比其他芯片級(jí)陀螺儀高數(shù)十至上百倍。該陀螺儀碟形布里淵諧振腔由***q值超過1億的硅基二氧化硅制成,自由光譜諧振值1.808吉赫。測(cè)試表明,芯片級(jí)激光陀螺儀具有高靈敏、高集成性、高魯棒性、強(qiáng)抗沖擊性等特點(diǎn),在微型、可穿戴設(shè)備及其他***平臺(tái)上具有廣闊應(yīng)用前景。
四、美國(guó)開發(fā)出基于憶阻器陣列的三維計(jì)算電路
2020年5月,美空軍研究實(shí)驗(yàn)室與馬薩諸塞大***合研發(fā)出一種三維計(jì)算電路。其由八層憶阻器陣列構(gòu)成,采用了新的電路架構(gòu)設(shè)計(jì),可直接實(shí)現(xiàn)深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)功能。八層憶阻器陣列由若干個(gè)彼此物理隔離的憶阻器行組構(gòu)成,每個(gè)行組包含八層憶阻器,層與層呈階梯式交錯(cuò)堆疊搭接,每個(gè)憶阻器僅與相鄰少量憶阻器共用電極,減少了相關(guān)干擾,大幅抑制了“潛在通路”效應(yīng),有利于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模憶阻器陣列集成。該三維計(jì)算電路計(jì)算速度和能效大幅提升,為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等先進(jìn)計(jì)算技術(shù),以及神經(jīng)形態(tài)硬件設(shè)計(jì)提供了新的技術(shù)途徑。

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