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從低溫共燒的工藝角度來研究氮化鋁坯片和銀漿的排膠,從而確立排膠的溫度及燒結氣氛的控制。結果表明,二次排膠法與在氮氣氣氛中加入微量氧進行燒結,獲得了綜合性能優(yōu)良的銀布線多層陶瓷基板。氮化鋁陶瓷結構件定制加工廠
隨著半導體IC芯片集成化、速度和功效的日益提高,以及電子整機向小、輕、薄方向發(fā)展,對與之相適應的高密度電路基板的要求也越來越高。過去采用高溫共燒技術制成的多層陶瓷基板,由于布線導體材料必須是諸如鎢、錳等高熔點金屬,不僅阻力大,性能差,而且成本高,很難推廣應用。而AIN/glass復合材料的燒結溫度可控制在1000°以內,從而和使得和高導電銀的共燒成為可能。

采用SHS-AIN粉為初始原料,經抗水化處理后得到抗水性AIN粉末(H-AIN)。選用了無水乙醇(EOH)和丁酯(MEK)的二元恒沸混合物做溶劑,磷酸三乙酯(TEP)作分散劑,聚乙烯醇縮丁醛(PVB)作粘結劑,聚乙二醇(PEG)和鄰苯二甲酸二乙酯(PHT)作增塑劑。AIN流延坯的厚度根據實驗需要進行調整,本實驗采用坯片厚度為0.2mm。
銀導體漿料由銀粉、玻璃粘結劑、氧化物和有機載體攪拌而成。銀粉平均粒徑lμm,混有少許片狀銀粉以調整收縮率和提高致密性;粘結相為低氧化鉛含量的晶化玻璃料;有機載體基本成分為乙基纖維素、松油醇、蓖麻油、鄰苯二甲酸二丁酯等,并加入流平劑、表面活性劑和二次流動控制劑等組成。玻璃粉與銀粉的重量比約為3:7。氮化鋁陶瓷結構件定制加工廠在線咨詢鈞杰陶瓷電話:137 1257 4098


