產(chǎn)品詳情
Gate turn-off Thyristor
5SGA 20H4502
VDRM?= 4500 V
ITGQM?= 2000 A
ITSM?= 13 kA
VT0?= 1.80 V
rT?= 0.85 m?
VDClin?= 2200 V
· 自由漂浮硅技術(shù)
· 低導通損耗和開關(guān)損耗
· 環(huán)形閘極
· 工業(yè)標準外殼
· 宇宙輻射耐受等級
門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO?的生產(chǎn)始于?20?世紀?80?年代中期。GTO?是一種晶閘管，向門級反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導通。
GTO?經(jīng)過優(yōu)化，傳導損耗很低。對于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開關(guān)頻率在?200?-?500?赫茲范圍內(nèi)。GTO?本質(zhì)上是相對較慢的開關(guān)。從開到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時間在?10?-?30?微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO?的導通和關(guān)斷都需要稱為“緩沖器”的保護網(wǎng)絡(luò)。導通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO?需要一個限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的?GTO?都是壓接封裝器件。以大力將?GTO?壓接到散熱器上，而散熱器也當作電源端子的電觸點。
5SGA 20H4502
VDRM?= 4500 V
ITGQM?= 2000 A
ITSM?= 13 kA
VT0?= 1.80 V
rT?= 0.85 m?
VDClin?= 2200 V
· 自由漂浮硅技術(shù)
· 低導通損耗和開關(guān)損耗
· 環(huán)形閘極
· 工業(yè)標準外殼
· 宇宙輻射耐受等級
門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO?的生產(chǎn)始于?20?世紀?80?年代中期。GTO?是一種晶閘管，向門級反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導通。
GTO?經(jīng)過優(yōu)化，傳導損耗很低。對于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開關(guān)頻率在?200?-?500?赫茲范圍內(nèi)。GTO?本質(zhì)上是相對較慢的開關(guān)。從開到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時間在?10?-?30?微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO?的導通和關(guān)斷都需要稱為“緩沖器”的保護網(wǎng)絡(luò)。導通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO?需要一個限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的?GTO?都是壓接封裝器件。以大力將?GTO?壓接到散熱器上，而散熱器也當作電源端子的電觸點。
