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日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3地鐵機車變流器用
北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3地鐵機車變流器用
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什么是IGBT
IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。
IGBT主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。
你可以看到輸入側(cè)代表具有柵極端子的MOS管，輸出側(cè)代表具有集電極和發(fā)射極的BJT。
集電極和發(fā)射極是導通端子，柵極是控制開關(guān)操作的控制端子。
IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2
IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B
ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001
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MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E
IGBT模塊
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成。IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2
IGBT模塊；單管IGBT模塊；雙管半橋IGBT模塊；4單元H橋IGBT模塊；3單元IGBT模塊；6單元三相全橋IGBT模塊；
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IGBT 的工作原理
IGBT 的工作原理是通過激活或停用其柵極端子來開啟或關(guān)閉。
如果正輸入電壓通過柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動電路開啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負，則會關(guān)閉電路應(yīng)用。
由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管，因此它實現(xiàn)的放大量是其輸出信號和控制輸入信號之間的比率。
對于傳統(tǒng)的 BJT，增益量與輸出電流與輸入電流的比率大致相同，我們將其稱為 Beta 并表示為 β。
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另一方面，對于 MOS管，沒有輸入電流，因為柵極端子是主通道承載電流的隔離。我們通過將輸出電流變化除以輸入電壓變化來確定 IGBT 的增益。
IGBT的典型應(yīng)用電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐
PM1500HCR330-1
PM1200HAF450
PM1200HCH330-203
PM1200HCH330-205
PM1200HAH330-205
PM1200HCE330-1
