產(chǎn)品詳情
具有易診斷特性（創(chuàng)新的通道指示燈設(shè)計(jì)，控制器狀態(tài)一目了然，檢測、維護(hù)方便）、帶軸性能（2ms可控制8個(gè)EtherCAT伺服軸 4ms可控制16個(gè)EtherCAT伺服軸），并集成典型行業(yè)工藝算法包，如張力控制、柔性龍門等 ●ET系列IO模塊，可適配標(biāo)準(zhǔn)EtherCAT主站設(shè)備，測量種類豐富可滿足絕大部分現(xiàn)場應(yīng)用
” 在過去的 75 年里，晶體管技術(shù)明顯的變化就是我們能制造多少
同時(shí)，經(jīng)過國內(nèi)市場的錘煉，仙工智能也開始篤行出?！? 深化全球布局的同時(shí)，仙工智能也在著力提升服務(wù)當(dāng)?shù)乜蛻舻哪芰Α? 今年 9 月底，仙工智能發(fā)布海外集成商策略，旨在通過招募更多海外集成商合作伙伴，增強(qiáng)仙工智能的區(qū)域影響力，發(fā)揮標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品組合的優(yōu)勢(shì)
圖 1：EV 充電系統(tǒng)顯示用于柵極驅(qū)動(dòng)器電路的 DCDC 轉(zhuǎn)換器及其相關(guān)的隔離式 DCDC 轉(zhuǎn)換器（：“Murata Power Technologies enabling application solutions for EV charging stations”，electronica 2022 Power Forum） 用于關(guān)斷的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)能力Si IGBT 或 SiC 逆變器 MOSFET 具有負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)能力具有三個(gè)優(yōu)勢(shì)：SiC MOSFET的閾值電壓 (V th ) 在較高溫度下下降，在 EV 充電條件下可低# 1.5 V
這是由于在導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)，一個(gè)大電壓差會(huì)施加于圖1 的L1兩端 在這個(gè)例子中，導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)電感兩端的電壓約為44.7 V，開關(guān)節(jié)點(diǎn)一側(cè)的電壓為48 V，輸出端電壓為3.3 V 電感電流通過以下公式計(jì)算：如果電感兩端有高電壓，在電感不變的情況下，電感中的電流會(huì)在固定時(shí)間內(nèi)上升
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