產(chǎn)品詳情
DBP-D-7.6 過電壓保護器 轄區(qū)第三中學工程Figure 5. ADuM4177 driving CAB450M12XM3 showing 11 mJ turn-off at 600 V460 A. No Compromise with Robustness短路是基于SiC的功率開關(guān)（MOSFET）的主要障礙，因為芯片尺寸更小，熱包絡(luò)非常嚴格
基于30千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓撲方案 文章針對這兩類拓撲進行參數(shù)設(shè)計，選取三種功率器件方案 摘 要近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求
路燈照明的標準化早已有之，大家為熟悉的就是在世界上很多地區(qū)廣泛使用的ANSI C136標準，當今很多路燈都是依據(jù)這個標準而生產(chǎn)的 初的路燈采用的是傳統(tǒng)照明燈具，控制邏輯十分簡單――白天關(guān)閉、晚上打開，這只需一個光電二極管（光控器）即可實現(xiàn)
典型的，就是傳統(tǒng)基于器件、組件、模塊、機架逐層堆疊的工程技術(shù)路線，性能上存在逐級遞減，先進工藝的CPU性能很強，但通過PCB和接插件層層連接做成云服務(wù)器，終用戶能用到的性能被打了折扣
DBP-D-7.6 過電壓保護器 轄區(qū)第三中學工程接下來，我們將一探MOSFET的制作過程 我們常說，建造一個半導體工廠需要投數(shù)萬億（韓元） 出乎意料的是，如此的高投入其實就是為了以低成本生產(chǎn)MOSFET MOSFET是目前以電力為基礎(chǔ)的#的“工具”，這是因為其制造工藝可以實現(xiàn)晶體管的量產(chǎn)
