產(chǎn)品詳情
這一期間，IGBT和二極管都有能量損耗 t4時(shí)刻，由于寄生電感和寄生電容而引起振鈴現(xiàn)象 在t4~t5期間，IGBT的集電極電壓達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài) IGBT實(shí)際關(guān)斷波形見(jiàn)圖7，關(guān)斷開(kāi)始時(shí)柵極電壓減少，柵射極電容CGE放電，t1時(shí)刻?hào)艠O電流恰好使IGBT進(jìn)入臨界飽和，輸出電流Io全部由IGBT供給
t1時(shí)刻開(kāi)始uCE開(kāi)始緩慢上升 從t2時(shí)刻開(kāi)始，當(dāng)uCE增加到10V以后，密勒電容CGC的容量大大減小，明顯減少了從集電極到柵極的反饋電流，uGE向零下降，uCE迅速向直流母線電壓上升 t3時(shí)刻，IGBT集電極電壓達(dá)到直流母線電壓，輸出電流轉(zhuǎn)由續(xù)流二極管提供，完成關(guān)斷過(guò)程
1.2.2 分立IGBT器件特性及應(yīng)用基礎(chǔ)IGBT芯片的特性直接決定了IGBT器件的特性，同時(shí)又受到其它外圍驅(qū)動(dòng)參數(shù)的影響，對(duì)于分立IGBT的實(shí)際應(yīng)用來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)保護(hù)設(shè)計(jì)與散熱設(shè)計(jì)是其中兩個(gè)#重要的技術(shù)要點(diǎn)，對(duì)于器件的運(yùn)行乃#電力變換裝置的可靠性和壽命#關(guān)重要
由于IGBT門(mén)極采用了MOSFET柵結(jié)構(gòu)，利用電壓驅(qū)動(dòng)，具有開(kāi)關(guān)速度快#65380 頻率特性好的特點(diǎn)，另一方面電壓驅(qū)動(dòng)又使其門(mén)極易受到電壓干擾，特別是器件本身的寄生參數(shù)或線路中寄生參數(shù)導(dǎo)致的浪涌電壓都會(huì)對(duì)分立IGBT的運(yùn)行產(chǎn)生影響 同時(shí)分立IGBT作為功率器件，工作時(shí)需要承受高壓#65380
大電流以盡可能提高電力轉(zhuǎn)換功率，轉(zhuǎn)換過(guò)程中功率損耗產(chǎn)生的熱量需要及時(shí)的傳遞到外部，以保證IGBT芯片的結(jié)溫不超過(guò)允許的上限，分立IGBT的散熱設(shè)計(jì)也是IGBT應(yīng)用過(guò)程中需要重點(diǎn)考慮的，散熱設(shè)計(jì)涉及到IGBT的損耗計(jì)算#65380
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