產(chǎn)品詳情
通常大家所提到的IGBT，一般指分立IGBT器件或IGBT模塊，這些器件的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理都是以IGBT芯片為基礎(chǔ)，一代IGBT芯片技術(shù)決定了一代IGBT模塊#65380 IPM#65380 DIPIPMTM等以IGBT為基礎(chǔ)的關(guān)聯(lián)器件的主要性能
近20年來(lái)，IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展很快，技術(shù)改進(jìn)方案很多，每種技術(shù)改進(jìn)措施的實(shí)施，都會(huì)把IGBT芯片的性能向前推進(jìn) IGBT芯片發(fā)展大體經(jīng)歷了平面柵PT*4型IGBT#65380 溝槽柵PT型IGBT#65380 載流子存儲(chǔ)溝槽柵型CSTBTTM*5 LPT*6 IGBT等進(jìn)化過(guò)程，不同芯片具有不同的結(jié)構(gòu)#65380
制造工藝和工作特性，IGBT芯片技術(shù)進(jìn)化方向總是圍繞著如何把“通態(tài)壓降-開(kāi)關(guān)時(shí)間”的矛盾處理到更為優(yōu)化的折中點(diǎn)，通過(guò)優(yōu)化IGBT芯片的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性使器件的功耗#65380 噪聲#65380 短路能力等關(guān)鍵性能指標(biāo)得到提升 因此在各類以IGBT為基礎(chǔ)的器件的應(yīng)用過(guò)程中，了解該器件所采用IGBT芯片的特性
圖1給出了由IGBT進(jìn)化而來(lái)的各種相關(guān)功率器件的
如果IGBT模塊內(nèi)部同時(shí)包含了驅(qū)動(dòng)保護(hù)等相關(guān)電路，則稱之為IPM或DIPIPMTM模塊 就IGBT的芯片基本結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，IGBT芯片可以認(rèn)為是MOSFET*7柵結(jié)構(gòu)和雙極型晶體管相結(jié)合而進(jìn)化形成的混合型功率芯片 因此具有雙極型晶體管和功率MOSFET的雙重特點(diǎn)
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