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通常情況下，可能需要調(diào)整開關(guān)速度（dvdt），以處理振蕩等問題 MOSFET的一個優(yōu)點是可以通過柵極電阻調(diào)整斜率，與合適的驅(qū)動電路相結(jié)合，它甚#能實現(xiàn)開啟和關(guān)閉時不同的變化率 右邊的圖5顯示了我們的45mΩ 1200V CoolSiC#8482
MOSFET的相應行為 圖5：45mΩ 1200V CoolSiC#8482 MOSFET的典型柵極電荷曲線（左）和通過RG，ext控制開關(guān)速度的能力（右） SiC MOSFET的短路特性圖6左邊是兩個45mΩ 1200V CoolSiC#8482
MOSFET的短路波形：一個是4腳的TO-247封裝，另一個是3腳TO-247封裝 圖中顯示了兩者在VDS800V的直流電壓下的情況 器件的短路波形與IGBT有很大的不同 #初，漏極電流迅速增加并達到一個電流峰值 由于開爾文源設計中的反饋回路減少，4腳TO-247封裝的MOSFET的電流上升得更快，在短路事件開始時，它也顯示出較少的自熱，峰值電流很高，超過300A
相反，3腳TO-247封裝的器件顯示出較小的峰值電流 造成這種情況的主要原因是didt作用于3腳元件的功率回路中的雜散電感，產(chǎn)生的瞬時電壓對VGS產(chǎn)生負反饋，從而降低了開關(guān)速度 由于開爾文連接方案能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)，消除了這種影響 因此在退飽和效應發(fā)生之前，4引腳器件的電流也可以上升到更高的值
在峰值電流之后，漏極電流下降到大約150A 這是因為載流子遷移率的降低和自熱導致的溫度上升而產(chǎn)生了更明顯的JFET效應 測試波形干凈穩(wěn)定，這證明了兩種封裝的TO-247 CoolSiC#8482 MOSFET的典型3μs短路能力 對于功率模塊，根據(jù)相關(guān)的目標應用要求，目前的短路能力#高為2μs
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