產(chǎn)品詳情
IRF4905STRLPBF
規(guī)格信息：
封裝/外殼：D2PAK
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：42A（Tc）
驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）：20 毫歐 @ 42A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）：180nC @ 10V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）：3500pF @ 25V
功率耗散（值）：170W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET®
FET類型：P 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：42A（Tc）
驅(qū)動電壓（RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（值）：180nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（值）：3500pF @ 25V
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（值）：20 毫歐 @ 42A，10V
封裝形式Package：D2PAK
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：55V
連續(xù)漏極電流ID：74A
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（）@ Vgs：10V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（） @ Vds：25V
規(guī)格信息：
封裝/外殼：D2PAK
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：42A（Tc）
驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）：20 毫歐 @ 42A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）：180nC @ 10V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）：3500pF @ 25V
功率耗散（值）：170W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET®
FET類型：P 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：42A（Tc）
驅(qū)動電壓（RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（值）：180nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（值）：3500pF @ 25V
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（值）：20 毫歐 @ 42A，10V
封裝形式Package：D2PAK
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：55V
連續(xù)漏極電流ID：74A
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（）@ Vgs：10V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（） @ Vds：25V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
