產(chǎn)品詳情
FM25V02A-GTRV-181-24-70-15-58 NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年，東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是NVM，其記錄速度也非?？?。
Inb是世界上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256K bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里。後來，Inb發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為NOR閃存。它結(jié)合EPROM和EEPROM兩項技術(shù)，并擁有一個SRAM接口。
種閃存稱為NAND閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是NOR閃存的理想替代者。NAND閃存的寫周期比NOR閃存短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。NAND的存儲單元只有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND獲得了更好的性能。鑒于NAND出色的表現(xiàn)，它常常被應用于諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。
NAND 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， NAND 的存儲塊大小為 8 到 32KB ），這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大，超過 512MB 容量的 NAND 產(chǎn)品相當普遍， NAND 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
NAND 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 I/O 端口只有 8 個，比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 I/O 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，可靠性較 NOR 閃存要差。
在1984年，東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是NVM，其記錄速度也非?？?。
Inb是世界上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256K bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里。後來，Inb發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為NOR閃存。它結(jié)合EPROM和EEPROM兩項技術(shù)，并擁有一個SRAM接口。
種閃存稱為NAND閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是NOR閃存的理想替代者。NAND閃存的寫周期比NOR閃存短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。NAND的存儲單元只有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND獲得了更好的性能。鑒于NAND出色的表現(xiàn)，它常常被應用于諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。
NAND 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， NAND 的存儲塊大小為 8 到 32KB ），這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大，超過 512MB 容量的 NAND 產(chǎn)品相當普遍， NAND 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
NAND 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 I/O 端口只有 8 個，比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 I/O 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，可靠性較 NOR 閃存要差。
