產(chǎn)品詳情
萊寶真空泵在半導體工業(yè)中的關鍵作用：工藝革新與先進制程的真空解決方案
半導體制造中的真空技術基礎
萊寶真空泵作為半導體制造的核心設備之一，為整個產(chǎn)業(yè)提供了關鍵的真空環(huán)境支持。在半導體制造過程中，真空技術主要實現(xiàn)以下功能：
- 創(chuàng)造無污染環(huán)境（避免氧化和雜質摻入）
- 控制氣體流動和化學反應
- 實現(xiàn)精確的材料沉積和蝕刻
- 保證工藝重復性和穩(wěn)定性
1. 薄膜沉積工藝
(1) 化學氣相沉積(CVD)
- 應用場景：介電層(SiO?、SiN)、多晶硅、金屬層的沉積
- 技術要點：萊寶渦輪分子泵提供10??~10?? mbar的高真空環(huán)境
- 設備優(yōu)勢：干式運行避免油污染，確保薄膜純度和均勻性
(2) 物理氣相沉積(PVD)
- 濺射鍍膜：用于Al、Cu、Ti等金屬層的沉積
- 蒸發(fā)鍍膜：高真空環(huán)境(10?? mbar)下的金屬蒸鍍
- 萊寶解決方案：MAGiNTEGRA系列渦輪分子泵提供穩(wěn)定真空基礎
2. 離子注入工藝
- 工藝要求：10??~10?? mbar的工作壓力
- 萊寶設備：RUVAC WH系列羅茨泵與干式前級泵組合
- 技術優(yōu)勢：快速抽空能力，精確控制注入環(huán)境
3. 光刻技術
(1) EUV光刻
- 特殊需求：極高真空(10?1? mbar)和氫氣處理能力
- 萊寶創(chuàng)新：專門開發(fā)的氫氣兼容渦輪分子泵
- 性能指標：抽速達2000 m3/h，滿足7nm以下制程需求
(2) 傳統(tǒng)光刻
- 真空應用：光刻膠處理、掩模版清潔
- 設備選擇：SCROLLVAC干式渦旋泵
4. 蝕刻工藝
- 等離子蝕刻：精確控制反應氣體和副產(chǎn)物排除
- 深硅蝕刻：高深寬比結構的刻蝕控制
- 萊寶方案：COBRA干式泵耐腐蝕設計，處理活性氣體
1. 3D封裝技術
- TSV硅通孔工藝：真空環(huán)境下的深孔刻蝕和填充
- 晶圓鍵合：真空環(huán)境下的分子級鍵合
2. 倒裝芯片封裝
- 底部填充：真空輔助毛細流動
- 回流焊：真空環(huán)境減少焊料氧化
1. 第三代半導體制造
- GaN外延生長：MOCVD設備的真空系統(tǒng)
- SiC器件制造：高溫工藝的真空解決方案
2. 存儲器制造
- 3D NAND：多層堆疊結構的真空沉積和蝕刻
- DRAM：高深寬比電容結構的形成
1.潔凈度保障
- 全干式運行設計
- 零油蒸汽反流
- 適合Class 1潔凈室
2. 工藝穩(wěn)定性
- ±1%的壓力控制精度
- 快速響應氣體負荷變化
- 24/7連續(xù)運行可靠性
3. 能效表現(xiàn)
- 變頻驅動節(jié)能技術
- 熱量回收系統(tǒng)
- 比傳統(tǒng)泵節(jié)能30-40%
4. **智能化功能**
- 實時振動監(jiān)測
- 預測性維護系統(tǒng)
- 遠程診斷接口
1. 面向2nm及以下制程
- 更高抽速的分子泵研發(fā)
- 極低振動設計
- 超高真空穩(wěn)定性控制
2. 新型存儲技術支持
- MRAM制造工藝適配
- 相變存儲器真空需求
3. 綠色制造
- 進一步降低能耗
- 減少全生命周期碳足跡
萊寶真空泵通過持續(xù)技術創(chuàng)新，為半導體工業(yè)提供從成熟制程到先進工藝的全方位真空解決方案，成為半導體制造裝備鏈中不可或缺的關鍵環(huán)節(jié)。
