環(huán)境老化試驗系統(tǒng)ST-HTXB

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詳細參數(shù)
品牌美瑞克型號ST-HTXB
類型電參數(shù)測量儀測量對象Diode,BJT,MOS-FET,SCR,橋堆,
測量范圍1nA~20mA,2000V,3000V測量精度1°C,1%,1LSB
頻率50hz功率≤15KW
電源220v加工定制
外形尺寸其他重量300kg
產地陜西省西安市

產品詳情

環(huán)境老化試驗系統(tǒng)ST-HTXB

 

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

 

 

環(huán)境老化試驗系統(tǒng)ST-HTXB

基礎信息

1. 適用于各種封裝類型的Diode、BJT、MOS-FET、SCR、橋堆、IGBT單管/模塊、IPM模塊等環(huán)境老化試驗

2. 包括高溫反偏/HTRB,高溫柵偏/HTGB,高溫高濕反偏試

3. /H3TRB,其中HTRB和HTGB可二合一

4. 漏電流檢測1nA~20mA,高壓2000V@3000V

 

 

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環(huán)境老化試驗系統(tǒng)ST-HTXB

主要配置

 

 

 

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環(huán)境老化試驗系統(tǒng)ST-HTXB

性能指標

 

 

環(huán)境老化試驗系統(tǒng)ST-HTXB

 

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