產(chǎn)品詳情
艾默生ups不間斷電源 GXE-20k00TE3102C00三進單出高頻
其值下降5mV左右。在25℃時，IGBT的開啟電壓UGE(th)一般為2~6b.輸出特性。IGBT的輸出特性也稱伏安特性，它描述的是以柵射電壓UGE為控制變量時集電極電流Ic與集射極間電壓UcE之間的關系。IGBT的輸出特性如圖3-11(b)所示。此特性與GTR的輸出特性相似，不同的是控制變量，GBT為柵射電壓UGE,而晶體管為基極電流IB。IGBT的輸出特性分正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。當UGE<0時，IGBT為反向阻斷工作狀態(tài)。
由此可見，IGBT由于比MOFET 多了一個J結而獲得反向電壓阻斷能力，IGBT能夠承受的高反向阻斷電壓URM取決于J1結的雪崩擊穿電壓。當UcE>0而UGE<UGE(h)時，IGBT為正向阻斷工作狀態(tài)。此時J2結處于反偏狀態(tài)，且MOSFET 的溝道體區(qū)內(nèi)沒有形成溝道，IGBT的集電極漏電流IcEs很小。IGBT能夠承受的高正向阻斷電壓UFM取決于J2的雪崩擊穿電壓。
如果UcE>0而且UGE<UGeh)時，MOSFET 的溝通體區(qū)內(nèi)形成導電溝道，IGBT進入正向?qū)顟B(tài)。此時，由于J1結處于正偏狀態(tài)，P+區(qū)將向N基區(qū)注入空穴。當正偏壓升高時，注入空穴的密度也相應增大，直到超過N基區(qū)的多數(shù)載流子密度為止。在這種狀態(tài)工作時，隨著柵射電壓UGE的升高向N基區(qū)提供電子的導電溝道加寬，集電極電流Ic將增大，在正向?qū)ǖ拇蟛糠謪^(qū)域內(nèi)、Ic
濟南
其值下降5mV左右。在25℃時，IGBT的開啟電壓UGE(th)一般為2~6b.輸出特性。IGBT的輸出特性也稱伏安特性，它描述的是以柵射電壓UGE為控制變量時集電極電流Ic與集射極間電壓UcE之間的關系。IGBT的輸出特性如圖3-11(b)所示。此特性與GTR的輸出特性相似，不同的是控制變量，GBT為柵射電壓UGE,而晶體管為基極電流IB。IGBT的輸出特性分正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。當UGE<0時，IGBT為反向阻斷工作狀態(tài)。
由此可見，IGBT由于比MOFET 多了一個J結而獲得反向電壓阻斷能力，IGBT能夠承受的高反向阻斷電壓URM取決于J1結的雪崩擊穿電壓。當UcE>0而UGE<UGE(h)時，IGBT為正向阻斷工作狀態(tài)。此時J2結處于反偏狀態(tài)，且MOSFET 的溝道體區(qū)內(nèi)沒有形成溝道，IGBT的集電極漏電流IcEs很小。IGBT能夠承受的高正向阻斷電壓UFM取決于J2的雪崩擊穿電壓。
如果UcE>0而且UGE<UGeh)時，MOSFET 的溝通體區(qū)內(nèi)形成導電溝道，IGBT進入正向?qū)顟B(tài)。此時，由于J1結處于正偏狀態(tài)，P+區(qū)將向N基區(qū)注入空穴。當正偏壓升高時，注入空穴的密度也相應增大，直到超過N基區(qū)的多數(shù)載流子密度為止。在這種狀態(tài)工作時，隨著柵射電壓UGE的升高向N基區(qū)提供電子的導電溝道加寬，集電極電流Ic將增大，在正向?qū)ǖ拇蟛糠謪^(qū)域內(nèi)、Ic
濟南
