IGBT器件（絕緣柵雙極型晶體管）是一種MOSFET與雙極晶體管復合的器件。它既有易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的顯著優(yōu)點。在節(jié)能市場領域獲得較為廣泛的應用。從消費電子，到工業(yè)控制都能見到IGBT身影。在眾多應用領域的帶動下，IGBT已經成為功率器件家族中的新興力量。
　　投資邏輯：我們建議從戰(zhàn)略角度來看待中國IGBT行業(yè)的投資機會。我們認為，中國IGBT市場未來五年將保持復合25%以上增速增長，而未來本土企業(yè)的技術創(chuàng)新將凸顯投資價值。
　　革命性、必要性：節(jié)能減排、低碳經濟勢必推動功率半導體市場繁榮，而IGBT是功率半導體的技術前沿，具有節(jié)能效率高，便于規(guī)?；a，較易實現(xiàn)節(jié)能智能化等優(yōu)點，將成為功率半導體市場發(fā)展的主流技術。而目前該產品市場應用率較低，市場增長空間巨大。節(jié)能推動變頻家電市場的爆發(fā)性增長，進而推動其核心器件IGBT的快速成長。通常情況下變頻家電比定頻家電可節(jié)電30%~40%。2009年變頻空調銷售開始放量，變頻空調銷量占空調總銷量的比例由2008年的不足7%上升到2009年的18%左右。預計2012年變頻空調銷量將突破1000萬臺，年復合增長率達到30%~35%。同樣的，應用變頻器的電動機節(jié)能效果明顯，一般節(jié)電率在20%-30%，較高的可超過50%。而目前我國電機配備變頻器還不足10%，尚處于粗放式用電的階段，市場潛力巨大。
　　高增長、高容量：2009年我國IGBT市場為53億元左右，目前我國IGBT市場占整個功率器件市場份額尚不足10%，我們預計未來幾年IG－BT市場隨著節(jié)能減排的推進將得到快速發(fā)展，增速將達到20%~30%，遠超整個功率器件市場。
　　進口替代：中國已經擁有較好的IGBT的產業(yè)規(guī)模，同時，部分本土企業(yè)已經積極進行IGBT制造技術的突破，并取得較好的進展。而智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及家電節(jié)能等本土市場，更為這些企業(yè)的技術突破，實現(xiàn)IGBT的“進口替代”創(chuàng)造了堅實的市場基礎。
　　投資策略：我們圍繞著以下三點來選擇IGBT相關企業(yè)進行投資，在行業(yè)發(fā)展初期，芯片制造環(huán)節(jié)利潤最為豐厚，擁有IGBT芯片制造技術的企業(yè)成為我們優(yōu)先考慮條件之一；而在“進口替代”的投資邏輯下，IGBT制造技術突破順序成為企業(yè)受益的先決條件，因此，技術突破順序也是我們考慮因素；本土市場是這些企業(yè)實現(xiàn)技術突破的關鍵因素，對企業(yè)的選擇我們也將立足于最貼近本土市場的企業(yè)。
　　投資標的：根據(jù)這三大標準，我們推薦華微電子、中環(huán)股份與長電科技，關注科達股份。